l Galaxy S26 Ultra promette di alzare l’asticella delle prestazioni grazie a una memoria RAM di nuova generazione che farebbe fare un salto in avanti alla serie rispetto al modello precedente.
Si parla di tecnologia LPDDR5X sviluppata da Micron con processo a 1γ (1-gamma), capace di raggiungere la velocità record di 10,7Gbps, una grande differenza rispetto ai 9,6Gbps della RAM utilizzata sull’S25 Ultra. L’adozione di questa memoria non solo grantirebbe performance più elevate nella gestione delle app e nelle funzioni IA, ma permetterebbe anche di ridurre i consumi energetici fino a un 20%, prolungando la durata della batteria e migliorando l’esperienza quotidiana.
Un altro vantaggio da non sottovalutare riguarda l’efficienza negli spazi interni: la nuova RAM, infatti, occupa meno volume, lasciando potenzialmente più spazio agli ingegneri Samsung per inserire una batteria di maggior capacità o un sensore fotografico ancora più potente.
Dopo i problemi di surriscaldamento avuti in passato con i chip proprietari, Samsung sembra puntare tutto su componenti affidabili e ultra-performanti anche per consolidare il successo commerciale che la serie S25 sta già riscuotendo.
